STS4DPFS30L技术参数详情：
STS4DPFS30L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的P沟道功率MOSFET，封装为8-SO。该器件核心优势在于其优异的导通与开关性能平衡，其漏源电压（Vdss）为30V，在25°C壳温下可支持5A的连续漏极电流。
其关键电气参数定义了出色的能效表现：在10V Vgs下，导通电阻（Rds(On)）最大仅为55毫欧，有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值低至16nC，有利于实现高速开关并简化驱动设计。器件集成了肖特基二极管，并支持高达150°C的结温，适用于要求高效率与可靠性的紧凑型功率开关应用。
- 型号:STS4DPFS30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
- FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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