STS4NF100

STS4NF100是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件采用表面贴装型8-SO封装，核心额定参数为100V漏源电压（V_DSS）与4A连续漏极电流（I_D），适用于中压、中电流的功率开关场景。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值低至70毫欧（@2A），能显著降低传导损耗。同时，总栅极电荷（Q_g）最大值仅为41nC（@10V），有利于实现快速开关并简化驱动设计。这些特性共同指向高效能的功率转换应用。

• 型号:STS4NF100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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