STS5DNF20V

STS5DNF20V是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，隶属于STripFET II产品系列。该器件集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道在20V的漏源电压（Vdss）下可支持高达5A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型40mΩ @ 4.5V Vgs）和栅极电荷（最大11.5nC @ 4.5V），确保了高效的电能转换与快速的开关响应。

其逻辑电平门控特性使其可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了系统设计。封装为表面贴装型，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于空间紧凑、要求高效率的功率开关场景。尽管该型号目前已停产，但其技术参数体现了在高密度、低损耗功率管理方面的设计考量。

• 型号:STS5DNF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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