STS5DP3LLH6技术参数详情：
STS5DP3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET H6工艺的双P沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装中。该器件专为逻辑电平驱动设计，栅极阈值电压低至2.5V，可直接由4.5V或5V电源驱动，简化了电路设计。
其核心优势在于优异的导通与开关性能：在10V Vgs下，导通电阻低至56毫欧，有助于降低导通损耗；同时，极低的栅极电荷（4.5V Vgs下最大6nC）确保了快速的开关响应，适合高频应用。每个通道支持30V耐压和5A连续电流，适用于同步整流、电机驱动和负载开关等功率管理场景。
- 型号:STS5DP3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 P 沟道（双）
- FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.7W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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