STS5PF20V技术参数详情：
STS5PF20V是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的P沟道功率MOSFET，封装为8-SO。该器件设计用于20V、5A的中低压开关应用，其核心卖点在于优异的导通性能与易驱动性。
在4.5V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至80毫欧（@2.5A），能有效降低导通损耗。同时，极低的栅极阈值电压和仅6nC的栅极电荷，使其能够被标准逻辑电平直接、高效地驱动，简化了驱动电路设计并提升了开关速度。这些特性使其成为高边开关、电源管理和负载切换等应用的理想选择。
- 型号:STS5PF20V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 2.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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