STS6NF20V

STS6NF20V是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，额定电压20V，在壳温条件下可连续通过6A电流，核心优势在于其极低的导通电阻与栅极电荷。

其导通电阻（Rds(on)）在4.5V Vgs、3A Id条件下典型值低至40毫欧，能显著降低功率损耗。同时，最大11.5nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有利于提升开关电源的效率和频率。这些特性使其成为低压、高效率功率转换和电机驱动应用的优选器件。

• 型号:STS6NF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.95V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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