STS6P3LLH6

STS6P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET VI技术的P沟道功率MOSFET，封装形式为8-SO。该器件设计用于低压至中压应用，其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），提供了可靠的功率处理基础。

其技术优势体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为30毫欧（@3A），有效降低了导通状态下的功率耗散。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值12nC @4.5V）有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。这些特性使其成为高效率电源转换、负载开关和电机控制等应用的理想选择。

• 型号:STS6P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 24 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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