STS7N3LLH6技术参数详情：
STS7N3LLH6是ST意法半导体生产的一款有源、单N沟道功率MOSFET。该器件采用8SOIC封装，核心规格为30V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），定位为高性能的功率开关解决方案。
其设计旨在最大化功率转换效率，关键卖点在于极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态参数，如低栅极电荷（Qg），这共同实现了更低的传导与开关损耗。这些特性使其成为空间受限且要求高效率应用的理想选择，例如紧凑型DC-DC转换器和电机驱动电路。
- 制造商产品型号：STS7N3LLH6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
- 现在可以订购STS7N3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
