STS7P4LLF6

STS7P4LLF6是ST意法半导体推出的一款采用POWERSO-8封装的P沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件额定漏源电压（V_DSS）为40V，连续漏极电流（I_D）可达7A，为中等功率应用提供了充足的电压和电流余量。

其核心电气参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为20.5毫欧，有效降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值低至22nC @ 4.5V，结合仅1V的最大栅极阈值电压（V_GS(th)），使其能够被低压逻辑信号高效驱动，优化了开关性能并简化了驱动电路设计。这些特性共同确保了器件在高频开关应用中的高效与可靠运行。

• 型号:STS7P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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