STS9NF30L技术参数详情：
STS9NF30L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心额定参数为30V漏源电压(Vdss)与9A连续漏极电流(Id)，专为低压、大电流开关应用而优化。
其技术优势体现在极低的导通电阻与栅极电荷。在10V驱动电压下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为20毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大12.5nC的栅极电荷(Qg)确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率与工作频率。这些特性使其成为DC-DC转换、电机驱动和负载管理等功率电路中的理想选择。
- 型号:STS9NF30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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