STSJ100NHS3LL技术参数详情：
STSJ100NHS3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用8-SOIC-EP带裸露焊盘封装，额定漏源电压为30V，在壳温条件下可持续输出100A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值4.2mΩ @ 10V），能显著降低传导损耗。
此外，它具备优异的开关特性，栅极电荷低至35nC，栅极阈值电压最大2.5V，易于驱动并有助于提升开关频率和效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于对效率和可靠性要求严苛的功率开关应用。
- 型号:STSJ100NHS3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC-EP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC-EP
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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