STSR2PCD-TR技术参数详情：
STSR2PCD-TR是ST意法半导体生产的一款双通道、低端配置的栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装。该器件设计用于高效驱动N沟道MOSFET，其核心优势在于提供强劲且不对称的驱动电流：峰值拉电流2A，灌电流3.5A，配合40ns和30ns的典型上升/下降时间，可显著优化功率开关管的开关速度，降低开关损耗。
其工作电压范围为4.5V至5.5V，支持-40°C至125°C的宽结温范围，确保了在工业环境下的鲁棒性。双通道非反相输入的设计，简化了与控制器的接口，使其非常适合应用于同步整流、开关电源和电机驱动等需要高速、高效功率开关的场合。
- 型号:STSR2PCD-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，3.5A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:40ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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