STSR30D-TR技术参数详情：
STSR30D-TR是ST意法半导体生产的一款单通道、低端配置的栅极驱动器IC，封装形式为8-SOIC。该器件设计用于驱动N沟道MOSFET，其核心卖点在于提供了高达1.5A的对称峰值输出电流（拉电流与灌电流），并具备40纳秒的典型快速开关速度（上升/下降时间），这确保了功率开关器件能够实现高效、低损耗的切换。
它工作在4V至5.5V的电源电压范围内，与标准5V逻辑系统完全兼容，并采用非反相输入接口，便于与控制器连接。器件支持-40°C至125°C的宽工作结温范围，并通过表面贴装形式提供，适用于自动化生产。这些特性使其成为DC-DC转换、电机驱动和电源开关等应用中驱动功率MOSFET的可靠解决方案。
- 型号:STSR30D-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:4V ~ 5.5V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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