STT4P3LLH6

STT4P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道功率MOSFET。该器件基于先进的STripFET H6和DeepGATE技术制造，在30V的漏源电压（V_DSS）下可提供4A的连续电流处理能力。

其核心电气优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至56毫欧@2A，能显著降低传导损耗。同时，最大仅6nC的栅极电荷（Q_G @ 4.5V）确保了高效的开关性能，适合高频操作。这些特性使其成为空间受限、追求高效率应用的理想解决方案。

• 型号:STT4P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
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