STT5N2VH5技术参数详情：
STT5N2VH5是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23-6封装的N沟道MOSFET，属于STripFET V产品系列。该器件在20V漏源电压（Vdss）下可提供5A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。
在4.5V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为30毫欧（@2A），配合低至4.6nC的栅极电荷，实现了传导损耗与开关损耗的显著降低。这些特性使其成为空间受限、追求高效率应用的理想选择，广泛用于便携式设备的电源管理、DC-DC转换及电机控制等场景。
- 型号:STT5N2VH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:367 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6
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