STT7P2UH7技术参数详情：
STT7P2UH7是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的P沟道功率MOSFET，封装于紧凑的SOT-23-6中。其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动下仅22.5毫欧（@3.5A），以及仅22nC的低栅极电荷，这共同实现了高效率与快速开关性能的平衡。
该器件额定漏源电压20V，连续漏极电流高达7A（Tc），并兼容1.5V至4.5V的逻辑电平驱动，易于集成。其设计旨在为空间受限的便携式设备、电源管理和电机控制应用提供高可靠性的功率开关解决方案。
- 型号:STT7P2UH7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 3.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6
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