STU10P6F6

STU10P6F6是ST意法半导体生产的一款P沟道功率MOSFET，隶属于采用先进DeepGATE和STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心优势在于低导通电阻与低栅极电荷的出色结合。

器件额定电压为60V，连续漏极电流可达10A（Tc），在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为160毫欧，这显著降低了功率传导损耗。同时，最大6.4nC的栅极电荷确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，适用于对效率要求较高的开关电源和电机控制应用。其采用IPAK（TO-251）通孔封装，支持高达35W（Tc）的功率耗散，工作结温范围为-55°C至175°C，具备良好的热性能与可靠性。

• 型号:STU10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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