STU27N3LH5

STU27N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V V_GS下R_DS(on)最大值为20mΩ，在5V V_GS下Qg最大值仅为4.6nC，这共同确保了出色的传导效率和快速的开关性能。

其电气规格坚实可靠，额定电压30V，在壳温条件下可持续承受27A电流，最大功耗30W。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能适应严苛环境。这些参数使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，例如高效率DC-DC转换、电机驱动及电源路径管理。

• 型号:STU27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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