STU2N95K5

STU2N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高电压开关应用，其核心优势在于提供了高达950V的漏源击穿电压（Vdss），同时保持了较低的导通电阻，在1A电流和10V栅极驱动下典型值仅为5欧姆，这有助于显著降低导通损耗。

此外，该MOSFET具备快速的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）低至10nC，有利于实现高效率的功率转换。器件采用坚固的IPAK（TO-251）通孔封装，最大功耗为45W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。这些特性使其成为开关电源、照明和工业控制等应用中理想的功率开关解决方案。

• 型号:STU2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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