STU3LN62K3技术参数详情：
STU3LN62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心特性包括620V的高漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现突出，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大17nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这些参数使其成为中等功率离线电源和照明驱动电路中高效、可靠的开关解决方案。
- 型号:STU3LN62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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