STU3N45K3技术参数详情：
STU3N45K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心额定参数为450V漏源电压（Vdss）与1.8A连续漏极电流（Id），专为高效功率开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.8欧姆，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值6nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并简化驱动电路设计。
- 型号:STU3N45K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:450 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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