STU40N2LH5

STU40N2LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其出色的电流处理能力与极低的导通损耗，其连续漏极电流（I_D）在壳温25°C下达40A，漏源电压（V_DSS）为25V。

其关键技术参数定义了卓越的开关性能：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为12.4毫欧（@20A），确保了高效的功率传输。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大6.3nC @5V）和输入电容（C_iss）使其具备快速的开关速度，有助于降低开关损耗并提升系统频率。这些特性使其成为低压、大电流开关应用的理想选择。

• 制造商产品型号：STU40N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.3nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• 现在可以订购STU40N2LH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。