STU4N52K3

STU4N52K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（V_DSS）额定值与优化的低导通电阻特性，在高压应用中能有效降低传导损耗。

其技术参数针对高效开关进行了优化，包括较低的栅极电荷（典型11nC @10V）和输入电容，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用通孔I-PAK封装，在壳温条件下支持2.5A的连续漏极电流和45W的功率耗散，结温最高可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。

• 型号:STU4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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