STU5N65M6技术参数详情：
STU5N65M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至1.3欧姆（@2A），有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值5.1nC）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。器件采用坚固的I-PAK通孔封装，支持高达45W的功率耗散，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，适用于对效率和可靠性要求严苛的工业与消费类电源解决方案。
- 制造商产品型号：STU5N65M6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.75V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.1nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：170pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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