STU5N70M6-S技术参数详情：
STU5N70M6-S是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，核心优势在于实现了700V高耐压与低导通电阻（1.4Ω @ 10V）及低栅极电荷（5.1nC @ 10V）的优化组合，旨在最大限度地降低开关损耗和导通损耗。
其额定连续漏极电流为3.5A（TC），采用I-PAK通孔封装，支持高达45W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其成为要求高效率和高可靠性的中功率开关电源设计的理想选择，尤其适用于开关电源初级侧、PFC电路及LED驱动等应用。
- 型号:STU5N70M6-S
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4欧姆 @ 1.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.1 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
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