STU6N60DM2技术参数详情：
STU6N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。
其技术优势体现在优异的动态性能与导通特性的结合上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.1欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值6.2nC）确保了快速开关能力和低驱动损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。器件采用I-PAK通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源设计。
- 制造商产品型号：STU6N60DM2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh DM2
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.1欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.2nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：274pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
- 现在可以订购STU6N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
