STU6N60M2技术参数详情：
STU6N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于结合了600V的高漏源电压（VDSS）与优异的低导通电阻（RDS(on)）特性，在10V栅极驱动下最大值仅为1.2欧姆，这显著降低了功率传导过程中的能量损耗。
此外，该MOSFET具备快速开关能力，其栅极电荷（Qg）最大值低至13.5nC，有助于减少开关损耗并提升系统工作频率。器件采用I-PAK通孔封装，在壳温条件下支持4.5A的连续漏极电流和60W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和耐用性。
- 型号:STU6N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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