STU6N65K3

STU6N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用通孔I-PAK封装，核心特性包括650V的高漏源电压（Vdss）以及5.4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。器件具备较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC，这有利于实现快速的开关切换，降低开关损耗，从而提升整体电源系统的效率。这些特性使其成为开关电源、照明驱动和工业控制等高压功率转换应用的理想选择。

• 型号:STU6N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:880 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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