STU80N4F6

STU80N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251通孔封装。该器件基于STripFET VI技术，具备40V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C）的连续漏极电流处理能力，专为高电流应用设计。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和40A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为6.3毫欧，能有效降低传导损耗。同时，36nC的最大栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关，提升转换效率。器件结温最高可至175°C，适用于要求严苛的功率开关环境。

• 型号:STU80N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO251
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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