STU90N4F3

STU90N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。

其关键电气参数定义了强大的性能：40V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流，使其能够胜任大功率开关任务。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值低至6.5毫欧（@40A），配合仅54nC的栅极电荷，共同确保了高效率的功率转换与快速的开关响应。这些特性使其成为电机驱动、电源转换和负载管理等应用的可靠解决方案。

• 型号:STU90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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