STU95N3LLH6技术参数详情：
STU95N3LLH6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI与DeepGATE技术的产品系列。该器件设计用于高效功率开关，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为4.7毫欧，能够显著降低传导损耗。
该MOSFET额定电压30V，在壳温条件下可连续承载高达80A的电流，并支持175°C的最高结温，展现出强大的电流处理能力与鲁棒性。同时，其优化的栅极电荷（最大20nC @ 4.5V）有助于实现快速开关，减少开关损耗，使其成为电机驱动、DC-DC转换和电源分配等应用的理想选择。
- 制造商产品型号：STU95N3LLH6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：DeepGATE, STripFET VI
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 40A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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