STU9HN65M2

STU9HN65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下5.5A的连续漏极电流（Id）能力。

其技术优势体现在较低的导通损耗与开关损耗平衡上。在10V驱动电压下，其最大导通电阻（RdsOn）为820毫欧，而最大栅极电荷（Qg）仅为11.5nC，这有助于提升电源系统的整体效率与工作频率。器件采用通孔式I-PAK封装，最大功率耗散为60W（Tc），最高工作结温达150°C，确保了应用的鲁棒性与热可靠性。

• 型号:STU9HN65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
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