STU9N60M2

STU9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）和5.5A的连续漏极电流（Id）能力，为离线式电源设计提供了坚实的基础。

器件在电气性能上实现了优化平衡，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下仅为780毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至10nC。这一组合特性使得开关损耗和导通损耗均得到有效控制，有助于提升系统整体效率。此外，IPAK（TO-251）通孔封装和150°C的最高工作结温，确保了其在各种环境下的安装便利性与运行可靠性。

• 型号:STU9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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