STV160NF02LAT4

STV160NF02LAT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用10-PowerSO表面贴装封装，核心优势在于其高达160A的连续漏极电流处理能力和极低的导通电阻（典型值2.7毫欧 @ 10V, 80A），旨在最大限度地降低导通损耗，提升能效。

其电气参数针对低压大电流开关应用进行了优化，包括20V的漏源电压额定值、175nC的最大栅极电荷以及高达175°C的结温工作能力。这些特性使其能够胜任高频开关任务，同时保持良好的热性能。该MOSFET主要适用于高效率DC-DC转换、同步整流和电机驱动等对功率密度与可靠性要求极高的场景。

• 型号:STV160NF02LAT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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