STV160NF03LAT4

STV160NF03LAT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用10-PowerSO表面贴装封装。该器件隶属于STripFET产品系列，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、80A条件下典型值仅为3毫欧，结合高达160A的连续漏极电流处理能力，能显著降低传导损耗，提升功率转换效率。

器件设计适用于30V电压等级的应用，具备±15V的宽栅极驱动电压范围和低至1V的栅极阈值电压，确保了与标准驱动电路的兼容性。其动态参数，如最大160nC的栅极电荷，为优化开关速度和驱动设计提供了明确依据。该MOSFET适用于对功率密度和效率要求苛刻的场合，如服务器电源的同步整流和电机驱动控制。

• 型号:STV160NF03LAT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 现在可以订购STV160NF03LAT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。