STV160NF03LT4

STV160NF03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用表面贴装型10-PowerSO封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗。

其关键电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）以及高达160A（Tc）的连续漏极电流。最突出的特性是在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至2.8毫欧（@80A），这能显著降低大电流应用中的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为140nC，有助于实现高效的开关操作。

该器件设计用于高功率密度和高效率的应用，其210W（Tc）的功率耗散能力和高达175°C的工作结温（TJ）确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于同步整流、电机驱动和高电流开关等场景。

• 型号:STV160NF03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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