STV250N55F3

STV250N55F3是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET。该器件在55V漏源电压（V_dss）规格下，能够处理高达200A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、75A电流条件下典型值仅为2.2毫欧，可显著降低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Q_g）最大值被控制在100nC，有利于实现快速开关，优化高频应用下的效率。器件采用10-PowerSO表面贴装封装，最大功率耗散为300W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，这些特性使其非常适合用于高电流、高功率密度的开关电源和电机驱动解决方案。

• 型号:STV250N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 现在可以订购STV250N55F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。