STV270N4F3

STV270N4F3是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET III产品系列。该器件采用表面贴装型10-PowerSO封装，专为处理大电流、低损耗的应用而优化。

其核心电气参数极为突出：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至1.5毫欧（@80A），能够显著降低传导损耗。同时，器件具备高达270A（Tc）的连续漏极电流能力和300W（Tc）的功率耗散上限，结合40V的漏源电压额定值，使其成为低压、大电流功率路径管理的理想选择。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STV270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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