STV300NH02L技术参数详情：
STV300NH02L是意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，专为要求高效率和高功率密度的低压大电流应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻与强大的电流处理能力。
该器件在10V Vgs、80A Id条件下，导通电阻典型值仅为1毫欧，能显著降低导通损耗。其连续漏极电流额定值高达200A @ Tc=25°C，最大功率耗散为300W，并采用热性能优异的10-PowerSO表面贴装封装，确保了出色的热管理能力。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和较低的栅极电荷（109nC @ 10V）进一步保障了其在苛刻环境下的可靠性与快速开关性能。
- 型号:STV300NH02L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7055 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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