STW11NK100Z技术参数详情：
STW11NK100Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心卖点在于高达1000V的漏源击穿电压（Vdss）与8.3A（Tc）的连续漏极电流能力，结合优化的技术实现了低导通电阻与开关损耗的平衡。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.38欧姆 @ 4.15A，栅极电荷（Qg）最大值为162nC，这确保了高效的电能转换与快速的开关速度。其最大功率耗散为230W（Tc），工作结温范围达-55°C至150°C，为高压、高功率应用提供了可靠的性能基础与宽泛的工作条件。
- 型号:STW11NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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