STW12N150K5技术参数详情：
STW12N150K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道高压功率MOSFET。该器件核心优势在于其1500V的高耐压能力与低导通损耗特性的结合，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下最大为1.9欧姆，同时具备低至47nC的栅极电荷（Qg），这共同优化了开关性能与能效。
该MOSFET在壳温25°C下可支持7A的连续漏极电流，最大功率耗散为250W，采用TO-247通孔封装以利于散热。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和±30V的栅源电压容限，确保了其在严苛工业环境下的应用可靠性，主要面向高效开关电源、太阳能逆变器及工业电机驱动等高压功率转换领域。
- 型号:STW12N150K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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