STW13N95K3技术参数详情：
STW13N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括950V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Tc条件下），为高压开关应用提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。
其技术亮点在于通过先进的工艺实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为850毫欧，而栅极电荷（Qg）最大值控制在51nC，这共同保障了较低的导通损耗与快速的开关性能，有助于提升电源系统的整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求严苛的工业与能源领域。
- 型号:STW13N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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