STW15N95K5技术参数详情：
STW15N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（VDSS）额定值与低至500毫欧（@10V，6A）的导通电阻（RDS(on)）的出色结合，这为高压应用提供了优异的效率与可靠性。
其电气特性包括在壳温条件下12A的连续漏极电流能力，以及典型值为40nC的较低栅极电荷（Qg），这有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗为170W（TC），适用于要求严苛的工业环境。这些参数使其成为高压、高效率功率转换设计的理想选择。
- 型号:STW15N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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