STW15NK90Z技术参数详情：
STW15NK90Z是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于结合了900V的高漏源电压（Vdss）与低至550毫欧的导通电阻（Rds(on)），这得益于其先进的SuperMESH技术，显著降低了功率开关应用中的传导损耗。
该器件在25°C壳温下可支持15A的连续漏极电流，最大功率耗散能力达350W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和高可靠性。其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现高效率的快速开关，适用于对能效和功率密度有严格要求的场合。
- 型号:STW15NK90Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:256 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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