STW18NM80技术参数详情：
STW18NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），采用TO-247-3封装，专为高效能、高可靠性的功率转换应用而设计。
其关键优势在于实现了优异的性能平衡：极低的导通电阻（Rds(on)典型值295mΩ @ 10V）有效降低了传导损耗，同时优化的栅极电荷（Qg最大值70nC）有助于实现快速的开关速度并降低开关损耗。高达190W的功率耗散能力和150°C的最高工作结温，确保了其在高压、大电流工作条件下的长期稳定运行。
- 型号:STW18NM80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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