STW19NM60N技术参数详情：
STW19NM60N是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件基于MDmesh II技术，具备600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）能力，专为高要求的高压、大电流开关应用而设计。
其核心优势在于优异的导通与开关特性：在10V Vgs下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为285毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至35nC。这一组合显著降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。宽工作结温范围（-55°C至150°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在汽车及工业环境中的高可靠性与鲁棒性。
- 型号:STW19NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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