STW19NM65N技术参数详情：
STW19NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）与15.5A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了可靠的开关解决方案。
其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至270毫欧，有效降低了通态功耗。同时，最大55nC的栅极电荷（Qg）确保了高效的开关速度，有助于提升系统整体频率与能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及新能源转换系统中功率开关部分的理想选择。
- 型号:STW19NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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