STW20N60M2-EP技术参数详情：
STW20N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其优化的技术平台，在600V高压和13A连续电流能力下，实现了低至278毫欧的导通电阻与21.7nC低栅极电荷的出色平衡。
这一特性组合使其在硬开关和软开关拓扑中均能显著降低导通与开关损耗，提升系统整体能效。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在工业电源、电机驱动及新能源转换等严苛应用环境下的高可靠性与稳定性。
- 制造商产品型号：STW20N60M2-EP
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M2-EP
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：278 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21.7nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：787pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247
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