STW20N90K5技术参数详情：
STW20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心优势在于其900V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点包括在10V驱动电压下仅250毫欧的低导通电阻（Rds(on)），以及40nC的低栅极电荷（Qg），这共同实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。结合250W的高功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其在追求高效率和高可靠性的工业电源、电机驱动及新能源逆变器等场景中成为理想的选择。
- 型号:STW20N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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