STW20N95K5技术参数详情：
STW20N95K5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压、高功率应用，其核心优势在于高达950V的漏源电压（Vdss）与低至330毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这有效降低了高压开关应用中的传导损耗。
此外，该MOSFET具备17.5A的连续漏极电流能力和40nC的低栅极电荷（Qg），支持高效的开关操作与良好的热管理。其采用坚固的TO-247-3通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的高可靠性与稳定性，是开关电源、电机驱动和能源逆变系统的理想选择。
- 型号:STW20N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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